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INN3268C設計的30W快充電源

       InnoSwitch3內部集成MOSFET,可選電壓為650V/725V,且具有無損耗檢測,內部MOS管在需要時打開,空載功耗的影響小于2 mW,同時輸入電壓檢測時可實現(xiàn)浪涌保護。為解決更的高效率,在次級側采用同步整流驅動,以功率MOSFET取代二級管,減低導通時間,減少損耗,電源可工作在DCM-CCM間平滑切換。InnoSwitch3在初級和次級均有控制器,以一個IC控制二個開關,便實現(xiàn)了更高的效率。在專利的開關和控制技術方面,InnoSwitch3可以工作在連續(xù)工作方式和準諧振開關,使得效率進一步提升,成本降低。 

   30 W輸出(可選5.1 V / 6 A或9.2 V / 3.3 A或15.3 V / 2 A)軌道設計用于帶有A型或C型端口的高功率USB充電。輸出利用InnoSwitch3-CP系列IC的INN3268C。由于InnoSwitch3-CP控制器的高集成度,該設計可顯示出高功率密度和高效率,從而提供卓越的性能。INN3268C IC的次級側提供輸出電壓,輸出電流檢測和驅動MOSFET,提供同步整流。變壓器的次級由MOSFET Q3整流,并由電容器C14和C15濾波。通過RC緩沖器,R13和C8降低開關瞬態(tài)期間的高頻振鈴,否則會產(chǎn)生輻射EMI。該設計的目標是3個輸出的平均效率超過90%。通過變壓器設計,選擇的有源器件和偏置電壓優(yōu)化效率。

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01-13 14:15

PowiGaN技術能夠提供高達100瓦的輸出功率,效率超過93%,大大縮小產(chǎn)品尺寸。

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01-13 17:18

怎么樣確認計算快充電源的最大傳輸效率

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01-13 19:40

怎么樣有效解決快充電源的效率優(yōu)化問題

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01-13 21:59

這個快充電源的最大輸出頻率是多少

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01-14 09:36

快充電源的傳輸轉折一般發(fā)生在什么階段

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01-14 10:20

  InnoSwitch3內部集成MOSFET,可選電壓為650V/725V,且具有無損耗檢測,內部MOS管在需要時打開,空載功耗的影響小于2 mW,同時輸入電壓檢測時可實現(xiàn)浪涌保護。

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htwdb
LV.7
8
01-14 13:00

INN3268C設計的30W電源,如果采用3路輸出,其每路輸出效率如何匹配?

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01-14 15:52
@聽聽1234
  InnoSwitch3內部集成MOSFET,可選電壓為650V/725V,且具有無損耗檢測,內部MOS管在需要時打開,空載功耗的影響小于2mW,同時輸入電壓檢測時可實現(xiàn)浪涌保護。

<10 mW空載輸入功率和±3%CV,±5%CC調節(jié),對變壓器變化不敏感,其瞬態(tài)響應與負載時序無關。

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tanb006
LV.10
10
01-14 17:33

我以為完全取代二極管呢,結果外面還是并聯(lián)一個。成本上并沒有降低。

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飛翔2004
LV.10
11
01-15 13:27
@大海的兒子
<10mW空載輸入功率和±3%CV,±5%CC調節(jié),對變壓器變化不敏感,其瞬態(tài)響應與負載時序無關。

初級側控制器具有電流限制閾值斜坡,其與從上一個初級開關周期結束的時間成反比。

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only one
LV.8
12
01-16 00:17

   30 W輸出(可選5.1 V / 6 A或9.2 V / 3.3 A或15.3 V / 2 A)軌道設計用于帶有A型或C型端口的高功率USB充電,充電速度如何?

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01-16 00:28

   30 W輸出(可選5.1 V / 6 A或9.2 V / 3.3 A或15.3 V / 2 A)軌道設計用于帶有A型或C型端口的高功率USB充電。輸出利用InnoSwitch3-CP系列IC的INN3268C。這種芯片有什么優(yōu)勢?

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trllgh
LV.9
14
01-16 13:26

InnoSwitch3-CP IC在單面安裝的離線反激式切換器IC中集成了初級,次級和反饋電路。

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only one
LV.8
15
01-19 00:46

   30 W輸出(可選5.1 V / 6 A或9.2 V / 3.3 A或15.3 V / 2 A)軌道設計用于帶有A型或C型端口的高功率USB充電。奴前主流是100W?

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only one
LV.8
16
01-20 00:46

變壓器的次級由MOSFET Q3整流,并由電容器C14和C15濾波。通過RC緩沖器,R13和C8降低開關瞬態(tài)期間的高頻振鈴,否則會產(chǎn)生輻射EMI,EMI大小有什么決定?

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01-27 00:38

30W輸出對innoswitch還是輕而易舉的

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dy-mb2U9pBf
LV.8
18
01-27 22:02

inn3268c可以輸出30 W功率,包括5.1 V / 6 A、9.2 V / 3.3 A或15.3 V / 2 A,是快充的一個比較好的選擇。

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dy-mb2U9pBf
LV.8
19
01-27 22:10

InnoSwitch3-CP控制器具有高集成度,可顯示出高功率密度和高效率,從而提供卓越的性能。

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k6666
LV.9
20
02-11 16:51
@tanb006
我以為完全取代二極管呢,結果外面還是并聯(lián)一個。成本上并沒有降低。

氮化鎵開關取代了IC初級側的常規(guī)高壓硅晶體管,從而降低導通損耗和開關損耗。

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xxbw6868
LV.10
21
02-12 13:21
@飛翔2004
初級側控制器具有電流限制閾值斜坡,其與從上一個初級開關周期結束的時間成反比。

該特性的性質引入了初級電流限制,其隨著開關頻率的降低而降低。

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trllgh
LV.9
22
02-15 16:03
@xxbw6868
該特性的性質引入了初級電流限制,其隨著開關頻率的降低而降低。

當轉換器工作在臨界(CRM)或不連續(xù)導通模式(DCM)時,C具有允許在主開關兩端的電壓接近其最小電壓時進行切換的方法。

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only one
LV.8
23
02-23 01:36

該設計的目標是3個輸出的平均效率超過90%。通過變壓器設計,選擇的有源器件和偏置電壓優(yōu)化效率。效率已經(jīng)很高了

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dy-nmLUWFNr
LV.8
24
02-23 11:25

怎么樣改變電路結構來提高信號傳輸效率

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dy-TMelSvc9
LV.8
25
02-23 15:15

怎么樣通過信號傳輸曲線來計算快充電源的傳輸效率變化趨勢

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dy-StTIVH1p
LV.8
26
02-23 15:46

怎么樣有效提高快充電源內部傳輸密度

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trllgh
LV.9
27
03-14 16:33

InnoSwitch是跨接于初級和次級的器件,采用FluxLink技術取代傳統(tǒng)的低速且不可靠的光耦器,以保證更加安全的隔離,且實現(xiàn)高可靠性和更長使用壽命。

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spowergg
LV.10
28
04-16 13:11
@trllgh
InnoSwitch是跨接于初級和次級的器件,采用FluxLink技術取代傳統(tǒng)的低速且不可靠的光耦器,以保證更加安全的隔離,且實現(xiàn)高可靠性和更長使用壽命。

具有內置的同步整流功能,可實現(xiàn)高效率和單面PCB。該設計適用于手機/ USB充電器。

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飛翔2004
LV.10
29
04-21 15:09
@spowergg
具有內置的同步整流功能,可實現(xiàn)高效率和單面PCB。該設計適用于手機/USB充電器。

具有二次側控制的所有優(yōu)點,并具有初級側調節(jié)的簡單性。

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小燕紙
LV.5
30
04-27 21:00

RC緩沖器可以降低開關瞬態(tài)期間的高頻振鈴,降低輻射EMI

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05-13 14:20
@tanb006
我以為完全取代二極管呢,結果外面還是并聯(lián)一個。成本上并沒有降低。

功率開關采用PowiGaN技術,以及PI獨有的變頻的開-關控制方式和零電壓開關ZVS.

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