InnoSwitch3內部集成MOSFET,可選電壓為650V/725V,且具有無損耗檢測,內部MOS管在需要時打開,空載功耗的影響小于2 mW,同時輸入電壓檢測時可實現(xiàn)浪涌保護。為解決更的高效率,在次級側采用同步整流驅動,以功率MOSFET取代二級管,減低導通時間,減少損耗,電源可工作在DCM-CCM間平滑切換。InnoSwitch3在初級和次級均有控制器,以一個IC控制二個開關,便實現(xiàn)了更高的效率。在專利的開關和控制技術方面,InnoSwitch3可以工作在連續(xù)工作方式和準諧振開關,使得效率進一步提升,成本降低。
30 W輸出(可選5.1 V / 6 A或9.2 V / 3.3 A或15.3 V / 2 A)軌道設計用于帶有A型或C型端口的高功率USB充電。輸出利用InnoSwitch3-CP系列IC的INN3268C。由于InnoSwitch3-CP控制器的高集成度,該設計可顯示出高功率密度和高效率,從而提供卓越的性能。INN3268C IC的次級側提供輸出電壓,輸出電流檢測和驅動MOSFET,提供同步整流。變壓器的次級由MOSFET Q3整流,并由電容器C14和C15濾波。通過RC緩沖器,R13和C8降低開關瞬態(tài)期間的高頻振鈴,否則會產(chǎn)生輻射EMI。該設計的目標是3個輸出的平均效率超過90%。通過變壓器設計,選擇的有源器件和偏置電壓優(yōu)化效率。