現(xiàn)在的電源輸出功率的不斷攀升、體積的日益縮小以及系統(tǒng)成本的持續(xù)降低。這三個方向看似相互矛盾，卻共同構(gòu)成了IC行業(yè)最前沿的競爭態(tài)勢。為了滿足客戶的不斷升級的需求，行業(yè)必須不斷創(chuàng)新，迎接更為嚴(yán)苛的技術(shù)挑戰(zhàn)。InnoSwitch 系列產(chǎn)品以其高集成度、高效率以及可編程性脫穎而出。它不僅滿足了在靈活性、高功率密度和低成本方面的多重需求。

innoswitch能達(dá)到高達(dá)95%的轉(zhuǎn)換效率，主要歸功于其采用的氮化鎵（GaN）功率開關(guān)。值得一提的是，IC提供了750V和900V兩種耐壓規(guī)格的GaN選項，從而使其能夠適應(yīng)電網(wǎng)不穩(wěn)定的環(huán)境。

常見的電源設(shè)計拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下

氮化鎵是一種新技術(shù)，設(shè)計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著RDS(ON)的減小，管芯尺寸會增加，這會導(dǎo)致寄生COSS也隨之增加。在氮化鎵晶體管中，COSS的增加與RDS(ON)的減少之比要低一個數(shù)量級。RDS(ON) 是開關(guān)接通時的電阻，它造成導(dǎo)通損耗。COSS的功率損耗等于CV2/2。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時，COSS通過RDS(ON)放電，導(dǎo)致導(dǎo)通損耗。導(dǎo)通損耗等于(CV2/2) x f，其中f是開關(guān)頻率。用氮化鎵開關(guān)替換硅開關(guān)會降低RDS(ON)和COSS的值，能夠設(shè)計出更高效的電源，或?qū)崿F(xiàn)在更高頻率下工作，而對效率的影響較小，這有助于縮小變壓器的尺寸。

隨著晶體管變大，RDS(ON)會減小。這沒有問題。然而，隨著晶體管變大，（顯然）面積會更大，因此寄生電容COSS也會增加。這不是好事。最佳的晶體管尺寸應(yīng)使RDS(ON)和COSS的組合最小化。該點通常位于降低RDS(ON)損耗的曲線與增加COSS損耗的曲線的相交處。

在實際設(shè)計中，對于額定功率為≤100W的基于氮化鎵的反激式適配器來說，能夠提供效率、尺寸和低成本的最佳組合的開關(guān)頻率可以低于100kHz。對于氮化鎵而言，限制因素不是開關(guān)速度。隨著COSS的大幅減小，設(shè)計者有了更大的靈活性，可以針對損耗優(yōu)化開關(guān)頻率，達(dá)成一個卓越的解決方案。

效率提高3%相當(dāng)于損耗減少至少35%。氮化鎵設(shè)計的能耗更少，產(chǎn)生的熱量減少35%。這一點非常重要，因為初級功率開關(guān)通常是傳統(tǒng)電源中最熱的元件。氮化鎵的散熱需求也會下降。電源體積將會更小，重量更輕，也更便攜，并且由于元件的溫度較低，電源的工作溫度將更低，擁有更長的使用壽命。