PI的獨(dú)特封裝給輸出大功率電源提供了很好的支撐，過流能力大，散熱熱阻小。

氮化鎵開發(fā)的芯片雖然成本貴點(diǎn)， 但整個(gè)效率質(zhì)量提升不少，對(duì)于高附加值高可靠性的產(chǎn)品來說是值得的。

PI的芯片能實(shí)現(xiàn)并聯(lián)的均流工作，是因?yàn)榭梢院芊奖愕耐ㄟ^I2C總線讀取每個(gè)電源的輸出電流大小，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)。均流控制。

除了常規(guī)的氮化鎵功率芯片之外，PI還可根據(jù)客戶的需求定制料號(hào).

隨著各大手機(jī)和筆電廠商相繼入局，氮化鎵快充已經(jīng)逐漸成為一種行業(yè)趨勢(shì)。

氮化鎵技術(shù)走集成化的路線，簡(jiǎn)單、高效、高可靠性。把MOSFET和控制器以及一些外圍器件集成在一起，簡(jiǎn)化客戶的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)主流的硅材料相比，禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高。

GaN器件能夠承載更高的能量密度，承受更高的溫度，支持的頻率更高。

由于電子飽和速度快，具有較高的載流子遷移率，GaN器件開關(guān)速度更快。

而且GaN器件導(dǎo)通電阻小，能效更高，但是成本更高，在驅(qū)動(dòng)上更復(fù)雜些。

GaN應(yīng)用場(chǎng)合很廣得，可應(yīng)用于開關(guān)電源，功率因數(shù)校正，電機(jī)驅(qū)動(dòng)，逆變器，UPS等場(chǎng)合。

GaN技術(shù)用以提升轉(zhuǎn)換效率及小體積的散熱性能。轉(zhuǎn)換效率的提升，可以提高功率密度，減小體積。

除了在快充上的應(yīng)用以外，以上氮化鎵功率器件還可以應(yīng)用在相同功率段的智能家電，LED照明，小型工業(yè)設(shè)備電源等領(lǐng)域。

氮化鎵晶體管是一種寬帶隙器件，與傳統(tǒng)硅晶體管相比，在相同的導(dǎo)通電阻條 件 下 ，可 實(shí) 現(xiàn) 更 小尺寸及更低電容。

提高轉(zhuǎn)換效率的同時(shí)，提升電源的功率密度，就是成本相對(duì)來說比較高。

電容及電感影響開關(guān)速度，沒有反向恢復(fù)（QRR）在高頻時(shí)也可減少損耗。

降低器件的散熱需求，使充電器具備更大的輸出功率，更多的輸出接口，氮化鎵功率器件的推出，首先應(yīng)用在快充充電器上。

GaN充電器可以使用較小的變壓器和較小的機(jī)械散熱器，因此整體重量可減少15-30％

氮化鎵有易驅(qū)動(dòng)，無反向恢復(fù)的優(yōu)勢(shì)，非常適合于硬開關(guān)應(yīng)用

其實(shí)用購買氮化鎵的錢，完全可以用MOS懟出來同樣的結(jié)果。

優(yōu)勢(shì)是可以隨處買到零件。

GaN充電器可以使用較小的變壓器和較小的機(jī)械散熱器，因此整體重量可減少15-30％。

這是花大錢了，就是貴

功率密度越做越大，對(duì)于器件的要求也越來越高

成本確實(shí)是個(gè)問題

使同功率充電器的體積只有原來的一半大小，同時(shí)效率也得到同步的提升，降低充電器的散熱需求。這意味著在相同尺寸和相同輸出功率的情況下，充電器外殼溫度將比傳統(tǒng)充電器更低

氮化鎵有易驅(qū)動(dòng)，無反向恢復(fù)的優(yōu)勢(shì)，非常適合于硬開關(guān)應(yīng)用。通過應(yīng)用氮化鎵器件到充電器中，消除了體二極管的電容充放電損耗，提高了電源轉(zhuǎn)換效率

GaN的價(jià)格有點(diǎn)高，GaN的產(chǎn)品也相對(duì)高，如果第一點(diǎn)的話會(huì)更容易擴(kuò)大市場(chǎng)

GaN的開關(guān)IC氮化鎵還是比較有優(yōu)勢(shì)的，性價(jià)比是很高的

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的開關(guān)性能可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更高頻率、更高開關(guān)精確度、更高總線電壓及更少電壓過沖。厲害

氮化鎵類電源器件最大的優(yōu)勢(shì)是工作效率比傳統(tǒng)器件更高，所以在相同功率下，熱耗低，發(fā)熱小，可以進(jìn)而取消散熱片