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用INN3266設(shè)計(jì)的高效5V/5A的充電器

      InnoSwitch3-CP在單個(gè)表面貼裝的離線反激式開關(guān)IC中集成了初級(jí)側(cè)、次級(jí)側(cè)和反饋電路。該IC還集成了主MOSFET、初級(jí)側(cè)控制器、用于同步整流的次級(jí)側(cè)控制器,并采用了創(chuàng)新的Fluxlink技術(shù),無(wú)需在次級(jí)感應(yīng)反饋系統(tǒng)中使用光耦合器。

恒功率特性曲線圖:

 電源采用INN3266設(shè)計(jì)的5V/6A的適配器,輸入電壓范圍為85-265Vac,平均效率要超過90%,實(shí)現(xiàn)具有快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)的高效率快充電源。通過變壓器設(shè)計(jì)以及選擇合適的有源器件和偏置電壓來(lái)優(yōu)化效率。該設(shè)計(jì)可在低壓輸入下提供高功率因數(shù)(0.9)。電路具有高效率、高功率因數(shù)和低元件數(shù),適用于墻壁插座USB充電器。如果要做功率密度大的電壓,可以選擇氮化鎵開關(guān)替換了IC初級(jí)的常規(guī)高壓硅晶體管的電源型號(hào),這可以降低電流流動(dòng)期間的傳導(dǎo)損耗,并極大降低工作時(shí)的開關(guān)損耗。

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2022-09-12 20:37

PI的Innoswitch系列的芯片適合大功率的快充電源設(shè)計(jì),電源的體積小而且薄。

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2022-09-12 20:38

電源設(shè)計(jì)采用初級(jí)側(cè)反饋方式,實(shí)現(xiàn)電源的控制,電路簡(jiǎn)單,效率也比較高。

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svs101
LV.8
4
2022-09-12 21:51

芯片集成的同步整流控制電路,大大提升了效率。支持更大功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

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svs101
LV.8
5
2022-09-12 21:52

同時(shí)PI的芯片封裝設(shè)計(jì)獨(dú)特,利于產(chǎn)品的散熱,同時(shí)輸出電流過流能力大

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tanb006
LV.10
6
2022-09-13 22:56
@奮斗的青春
電源設(shè)計(jì)采用初級(jí)側(cè)反饋方式,實(shí)現(xiàn)電源的控制,電路簡(jiǎn)單,效率也比較高。

電路一點(diǎn)都不簡(jiǎn)單,

需要獨(dú)立的輔助電源,次級(jí)零件也不少。

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yujunice
LV.5
7
2022-09-15 15:59

電路具有高效率、高功率因數(shù)和低元件數(shù),適用于墻壁插座USB充電器。

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2022-09-15 22:35
@svs101
同時(shí)PI的芯片封裝設(shè)計(jì)獨(dú)特,利于產(chǎn)品的散熱,同時(shí)輸出電流過流能力大

InnoSwitch3采用數(shù)字反饋的Fluxlink技術(shù),F(xiàn)luxlink技術(shù)即使在瞬態(tài)應(yīng)力測(cè)試下也能保持輸出電壓穩(wěn)壓

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trllgh
LV.9
9
2022-09-15 22:39

所提供的器件均支持鎖存與自動(dòng)重啟動(dòng)的常用組合,這是快充和USB PD設(shè)計(jì)等應(yīng)用所要求的特性。

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飛翔2004
LV.10
10
2022-09-15 22:51
@大海的兒子
InnoSwitch3采用數(shù)字反饋的Fluxlink技術(shù),F(xiàn)luxlink技術(shù)即使在瞬態(tài)應(yīng)力測(cè)試下也能保持輸出電壓穩(wěn)壓

具有很好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性,電源的負(fù)載即使從空載至滿載之間進(jìn)行階躍跳變,在輸出端也比較穩(wěn)定。

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dbg_ux
LV.9
11
2022-09-15 22:57

對(duì)于變壓器設(shè)計(jì),最好將反射電壓保持在較低水平,以降低次級(jí)側(cè)的RMS電流。

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ehi763
LV.6
12
2022-09-16 21:47

為了提高效率,還必須選擇具有較低傳導(dǎo)損耗的有源器件。

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spowergg
LV.10
13
2022-09-16 22:03
@飛翔2004
具有很好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性,電源的負(fù)載即使從空載至滿載之間進(jìn)行階躍跳變,在輸出端也比較穩(wěn)定。

可在無(wú)需專用隔離變壓器檢測(cè)繞組和光耦的情況下,實(shí)現(xiàn)±3%的高精度輸入電壓和負(fù)載綜合調(diào)整率。

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trllgh
LV.9
14
2022-09-16 22:15
@dbg_ux
對(duì)于變壓器設(shè)計(jì),最好將反射電壓保持在較低水平,以降低次級(jí)側(cè)的RMS電流。

較低的VOR還意味著初級(jí)側(cè)MOSFET上的漏極到源極電壓較低,可以有效降低開關(guān)損耗。

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dbg_ux
LV.9
15
2022-09-17 22:28
@ehi763
為了提高效率,還必須選擇具有較低傳導(dǎo)損耗的有源器件。

在InnoSwitch3-CP系列控制器中,INN3266C可提供最低的RDS(on),低的導(dǎo)通電阻可以提高效率。

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2022-09-17 22:39
@trllgh
所提供的器件均支持鎖存與自動(dòng)重啟動(dòng)的常用組合,這是快充和USBPD設(shè)計(jì)等應(yīng)用所要求的特性。

同時(shí)也有提供的器件提供輸出線壓降補(bǔ)償選項(xiàng),可以滿足充電補(bǔ)償?shù)囊蟆?/p>

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spowergg
LV.10
17
2022-09-18 11:01
@spowergg
可在無(wú)需專用隔離變壓器檢測(cè)繞組和光耦的情況下,實(shí)現(xiàn)±3%的高精度輸入電壓和負(fù)載綜合調(diào)整率。

比如一些高溫環(huán)境,隨著電源使用壽命的增加,如果采用光耦的反饋也會(huì)相應(yīng)的受到影響。

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飛翔2004
LV.10
18
2022-09-18 12:52
@trllgh
較低的VOR還意味著初級(jí)側(cè)MOSFET上的漏極到源極電壓較低,可以有效降低開關(guān)損耗。

可提供供電電壓及電流的準(zhǔn)確化微調(diào),并且可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)94%的高效性能指標(biāo)。

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k6666
LV.9
19
2022-09-19 20:27
@大海的兒子
InnoSwitch3采用數(shù)字反饋的Fluxlink技術(shù),F(xiàn)luxlink技術(shù)即使在瞬態(tài)應(yīng)力測(cè)試下也能保持輸出電壓穩(wěn)壓

innoswitch系列芯片支持的功率更大,效率更高,待機(jī)功耗及空載功耗都很低。

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dy-TMelSvc9
LV.8
20
2022-09-20 23:35

為什么選取這顆器件作為開關(guān)電源使用

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dy-n66BzSV7
LV.6
21
2022-09-20 23:44

整流對(duì)電壓輸出曲線會(huì)有哪些影響

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dy-nmLUWFNr
LV.8
22
2022-09-21 23:56

這個(gè)高效電源設(shè)計(jì)很實(shí)用

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CDJ01
LV.5
23
2022-09-22 18:58

創(chuàng)新的Fluxlink技術(shù),無(wú)需在次級(jí)感應(yīng)反饋系統(tǒng)中使用光耦合器。

這里說(shuō)的Fluxlink技術(shù)就是省掉光耦嗎?原副邊絕緣耐壓可以做到多少

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dy-n66BzSV7
LV.6
24
2022-09-22 23:41

這個(gè)轉(zhuǎn)換效率會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)折么

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聽聽1234
LV.5
25
2022-09-25 17:43

電源采用INN3266設(shè)計(jì)的5V/6A的適配器,輸入電壓范圍為85-265Vac,平均效率要超過90%,實(shí)現(xiàn)具有快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)的高效率快充電源。

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天晴朗
LV.6
26
2022-10-26 17:35

通過變壓器設(shè)計(jì)以及選擇合適的有源器件和偏置電壓來(lái)優(yōu)化效率

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ehi763
LV.6
27
2022-12-17 21:10
@dbg_ux
對(duì)于變壓器設(shè)計(jì),最好將反射電壓保持在較低水平,以降低次級(jí)側(cè)的RMS電流。

設(shè)計(jì)變壓器時(shí)應(yīng)該考慮比如集膚效應(yīng)和骨架范圍,建議 使用采用多股并聯(lián)繞線技術(shù)來(lái)繞制的小線徑的繞線。

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ehi763
LV.6
28
2022-12-17 21:18
@dbg_ux
對(duì)于變壓器設(shè)計(jì),最好將反射電壓保持在較低水平,以降低次級(jí)側(cè)的RMS電流。

InnoSwitch-CP的IC中使用的狀態(tài)調(diào)節(jié)器可自動(dòng)調(diào)節(jié)限流點(diǎn),從而調(diào)節(jié)輕載下的工作頻率。

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xxbw6868
LV.10
29
2023-01-15 20:51
@dbg_ux
對(duì)于變壓器設(shè)計(jì),最好將反射電壓保持在較低水平,以降低次級(jí)側(cè)的RMS電流。

由于此耦合電感并非理想器件,所以存在漏感,而實(shí)際線路中也會(huì)存在雜散電感。

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2023-02-17 21:11
@dbg_ux
對(duì)于變壓器設(shè)計(jì),最好將反射電壓保持在較低水平,以降低次級(jí)側(cè)的RMS電流。

 較低的 RMS 電流允許使用更小、更快的 MOSFET 和二極管.,優(yōu)點(diǎn)比較多。

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飛翔2004
LV.10
31
2023-02-17 21:30
@大海的兒子
 較低的RMS電流允許使用更小、更快的MOSFET和二極管.,優(yōu)點(diǎn)比較多。

輸入電流紋波抵消的好處是可以利用物理上更小的 EMI 濾波器。

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