PI的Innoswitch系列的芯片適合大功率的快充電源設(shè)計(jì)，電源的體積小而且薄。

電源設(shè)計(jì)采用初級(jí)側(cè)反饋方式，實(shí)現(xiàn)電源的控制，電路簡單，效率也比較高。

芯片集成的同步整流控制電路，大大提升了效率。支持更大功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

同時(shí)PI的芯片封裝設(shè)計(jì)獨(dú)特，利于產(chǎn)品的散熱，同時(shí)輸出電流過流能力大

電路一點(diǎn)都不簡單，

需要獨(dú)立的輔助電源，次級(jí)零件也不少。

電路具有高效率、高功率因數(shù)和低元件數(shù)，適用于墻壁插座USB充電器。

InnoSwitch3采用數(shù)字反饋的Fluxlink技術(shù)，F(xiàn)luxlink技術(shù)即使在瞬態(tài)應(yīng)力測試下也能保持輸出電壓穩(wěn)壓

所提供的器件均支持鎖存與自動(dòng)重啟動(dòng)的常用組合，這是快充和USB PD設(shè)計(jì)等應(yīng)用所要求的特性。

具有很好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，電源的負(fù)載即使從空載至滿載之間進(jìn)行階躍跳變，在輸出端也比較穩(wěn)定。

對于變壓器設(shè)計(jì)，最好將反射電壓保持在較低水平，以降低次級(jí)側(cè)的RMS電流。

為了提高效率，還必須選擇具有較低傳導(dǎo)損耗的有源器件。

可在無需專用隔離變壓器檢測繞組和光耦的情況下,實(shí)現(xiàn)±3%的高精度輸入電壓和負(fù)載綜合調(diào)整率。

較低的VOR還意味著初級(jí)側(cè)MOSFET上的漏極到源極電壓較低，可以有效降低開關(guān)損耗。

在InnoSwitch3-CP系列控制器中，INN3266C可提供最低的RDS（on），低的導(dǎo)通電阻可以提高效率。

同時(shí)也有提供的器件提供輸出線壓降補(bǔ)償選項(xiàng)，可以滿足充電補(bǔ)償?shù)囊蟆?/p>

比如一些高溫環(huán)境，隨著電源使用壽命的增加，如果采用光耦的反饋也會(huì)相應(yīng)的受到影響。

可提供供電電壓及電流的準(zhǔn)確化微調(diào)，并且可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)94%的高效性能指標(biāo)。

innoswitch系列芯片支持的功率更大，效率更高，待機(jī)功耗及空載功耗都很低。

為什么選取這顆器件作為開關(guān)電源使用

整流對電壓輸出曲線會(huì)有哪些影響

這個(gè)高效電源設(shè)計(jì)很實(shí)用

創(chuàng)新的Fluxlink技術(shù)，無需在次級(jí)感應(yīng)反饋系統(tǒng)中使用光耦合器。

這里說的Fluxlink技術(shù)就是省掉光耦嗎？原副邊絕緣耐壓可以做到多少

這個(gè)轉(zhuǎn)換效率會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)折么

電源采用INN3266設(shè)計(jì)的5V/6A的適配器，輸入電壓范圍為85-265Vac,平均效率要超過90％,實(shí)現(xiàn)具有快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)的高效率快充電源。

通過變壓器設(shè)計(jì)以及選擇合適的有源器件和偏置電壓來優(yōu)化效率

設(shè)計(jì)變壓器時(shí)應(yīng)該考慮比如集膚效應(yīng)和骨架范圍，建議 使用采用多股并聯(lián)繞線技術(shù)來繞制的小線徑的繞線。

InnoSwitch-CP的IC中使用的狀態(tài)調(diào)節(jié)器可自動(dòng)調(diào)節(jié)限流點(diǎn)，從而調(diào)節(jié)輕載下的工作頻率。

由于此耦合電感并非理想器件，所以存在漏感，而實(shí)際線路中也會(huì)存在雜散電感。

 較低的 RMS 電流允許使用更小、更快的 MOSFET 和二極管.，優(yōu)點(diǎn)比較多。

輸入電流紋波抵消的好處是可以利用物理上更小的 EMI 濾波器。