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用INN3370C設計的45W的充電器

      PI的INN3370C是一顆集成了高壓開關、同步整流和FluxLink反饋功能的數(shù)控恒壓／恒流離線反激式準諧振開關IC，INN3370C使用PowiGaN技術，內置750V耐壓GaN開關管，最大支持100W輸出，在I2C數(shù)傳動態(tài)高精度控制的同時，INN3370C還內置一路3．6V輸出為外置協(xié)議IC供電。

     充電器使用INN3370C氮化鎵控制器，有效提高適配器功率密度，支持85~265VAC通用輸入，47~64Hz的輸入頻率，充電器具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V/3.25A、3.3-11V/3A電壓檔位，效率在89.8%以上，主要是搭配了英集芯IP2726協(xié)議IC，提高了適配器的兼容性，協(xié)議支持更加廣泛,用于USB輸出端口的快充IC，還支持Type-CDFP、PD2.0、PD3.0、PPS、QC4+、QC3.0、QC2.0等大部分協(xié)議，具有高度集成和豐富的功能，在應用時僅需極少的外圍器件，有效減小整體方案的尺寸，降低BOM成本。

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XHH9062
LV.9
2
2022-12-12 15:46

多口同時輸出的時候，輸出功率是多少？

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2022-12-12 17:21

芯片支持同步整流輸出控制，支持I2C接口數(shù)控，內置協(xié)議芯片供電，外圍器件精簡。

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飛翔2004
LV.10
4
2022-12-12 17:27

無需外圍元件即可提供精確的恒壓／恒流／恒功率，與外接快充協(xié)議接口IC協(xié)同工作實現(xiàn)快充。

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飛翔2004
LV.10
5
2022-12-12 17:27
@大海的兒子
芯片支持同步整流輸出控制，支持I2C接口數(shù)控，內置協(xié)議芯片供電，外圍器件精簡。

GaN在USB PD快充電源應用，其高頻率低損耗的優(yōu)勢，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量.

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ehi763
LV.6
6
2022-12-12 17:29
@飛翔2004
GaN在USBPD快充電源應用，其高頻率低損耗的優(yōu)勢，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量.

適用于高效率反激式設計，內置同步整流控制器和反饋，更加節(jié)省外部元件。

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trllgh
LV.9
7
2022-12-12 17:33
@飛翔2004
GaN在USBPD快充電源應用，其高頻率低損耗的優(yōu)勢，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量.

內置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大功率.

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svs101
LV.8
8
2022-12-13 15:03

這個設計電路采用雙路USB輸出，一個是Type-c接口，輸出的功率大，使用也方便。

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飛翔2004
LV.10
9
2022-12-13 16:50
@trllgh
內置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大功率.

InnoSwitch3-Pro系列相比CP系列而言，Pro系列還支持PPS快充電源應用，輸出電壓范圍更寬。

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飛翔2004
LV.10
10
2022-12-13 16:50
@ehi763
適用于高效率反激式設計，內置同步整流控制器和反饋，更加節(jié)省外部元件。

通過控制信號對輸出電壓及電流進行精確的動態(tài)階躍控制。保護功能也能通過軟件控制。

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ehi763
LV.6
11
2022-12-13 16:53
@飛翔2004
通過控制信號對輸出電壓及電流進行精確的動態(tài)階躍控制。保護功能也能通過軟件控制。

電壓階躍步長為10mV，電流階躍步長為50mA，從而實現(xiàn)數(shù)字可編程的功率變換。

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trllgh
LV.9
12
2022-12-13 16:58
@飛翔2004
InnoSwitch3-Pro系列相比CP系列而言，Pro系列還支持PPS快充電源應用，輸出電壓范圍更寬。

可以設計出比較薄的體積，效率設計的好可以做到90%以上，效率也取決于設計的電路參數(shù)。

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trllgh
LV.9
13
2022-12-13 16:59
@ehi763
電壓階躍步長為10mV，電流階躍步長為50mA，從而實現(xiàn)數(shù)字可編程的功率變換。

在一些應用場合，比如PPS，可以更精確的控制輸出的電壓檔位，方便實用。

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2022-12-13 17:02
@trllgh
在一些應用場合，比如PPS，可以更精確的控制輸出的電壓檔位，方便實用。

支持快速的輸入欠壓／過壓保護，具備完整全面的保護功能，非常適合用來設計快充的充電器。

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2022-12-14 14:07
@trllgh
在一些應用場合，比如PPS，可以更精確的控制輸出的電壓檔位，方便實用。

對于超薄體積尺寸要求的電源設計，PI的Innoswitch具有很好的性能及指標。

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k6666
LV.9
16
2022-12-14 16:14
@大海的兒子
支持快速的輸入欠壓／過壓保護，具備完整全面的保護功能，非常適合用來設計快充的充電器。

對于小功率PD快充而言，可以選用內置MOS芯片，兼顧性能和成本。

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聽聽1234
LV.5
17
2022-12-17 17:54

充電器具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V/3.25A、3.3-11V/3A電壓檔位，效率在89.8%以上

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飛翔2004
LV.10
18
2022-12-17 20:19
@trllgh
可以設計出比較薄的體積，效率設計的好可以做到90%以上，效率也取決于設計的電路參數(shù)。

在輕載下一般都是采用降低工作頻率的方法來提高輕載效率，也有通過減小損耗來提高效率的。

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ehi763
LV.6
19
2022-12-17 20:33

采用INN3370設計的功率密度高，且空載輸入功率很低，為20mW。

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2022-12-22 20:02

外圍器件比較少，可以有效減小整體方案的尺寸和成本

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dy-KNLyiTzn
LV.4
21
2022-12-23 15:41

工作頻率多少呢？EMI好處理嗎？

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dy-n66BzSV7
LV.6
22
2022-12-23 15:51

開關的耐壓電壓是多少

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dy-nmLUWFNr
LV.8
23
2022-12-23 19:04

雙端輸出的能量曲線變化是怎么樣的

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dy-TMelSvc9
LV.8
24
2022-12-23 19:20

怎么樣保證效率維持在89.8%

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dy-KNLyiTzn
LV.4
25
2022-12-24 13:01

對于小體積充電器有很大的優(yōu)勢

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hellbaron
LV.6
26
2022-12-24 22:59

集成芯片能做到這么大功率的輸出，確實厲害

 

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xxbw6868
LV.10
27
2023-01-13 19:44
@飛翔2004
GaN在USBPD快充電源應用，其高頻率低損耗的優(yōu)勢，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量.

PowiGaN的器件非?？煽磕陀茫词乖诔掷m(xù)時間較長的輸入浪涌期間能保護系統(tǒng)免受電壓尖峰的影響，并在浪涌結束后快速恢復。

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trllgh
LV.9
28
2023-01-13 20:37
@xxbw6868
PowiGaN的器件非常可靠耐用，即使在持續(xù)時間較長的輸入浪涌期間能保護系統(tǒng)免受電壓尖峰的影響，并在浪涌結束后快速恢復。

PowiGaN開關可實現(xiàn)更低的導通損耗和開關損耗，無需金屬散熱片并減少相關的振動影響。

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2023-06-08 14:47
@飛翔2004
在輕載下一般都是采用降低工作頻率的方法來提高輕載效率，也有通過減小損耗來提高效率的。

電路設計的PCB比較緊湊，尺寸也小，利于攜帶方便，并且支持的功率越來越大

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飛翔2004
LV.10
30
2023-07-16 11:26
@trllgh
PowiGaN開關可實現(xiàn)更低的導通損耗和開關損耗，無需金屬散熱片并減少相關的振動影響。

準諧振(QR)模式的M控制，可降低開關損耗，使電感尺寸小于傳統(tǒng)的CRM PFC，并允許使用低成本的升壓二極管。

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lishuai110
LV.4
31
2023-07-27 15:22

為啥INN3370C還內置一路3．6V輸出，是因為要加一個二極管才能控制住3.3V輸出嗎

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